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可溶性聚四氟乙烯最佳充电通度的确定

    图6和图7中分别记录可溶性聚四氟乙烯在不同温度下正负电晕充电的TSD电流谱。重复可溶性聚四氟乙烯实验结果表明,在高温下的正负恒压电晕注极,如果合理地控制注极温度,可使负电晕的1460C低温峰和正电晕的860C低温峰消失。与此同时,可溶性聚四氟乙烯负电晕的2050C和正电晕的1400C高温峰分别向高温区漂移300C和600C,这是因为在高温充电期间,捕获在浅阱的载流子被热活化,它们中的一部分相继再次被捕获在较深的能阱内,可溶性聚四氟乙烯实验指出股佳注极温度都在2000C左右(正负电晕),在这个温度或该温度附近充电,在该材料的深阱内可能捕获到较大的电荷量。对Teflon PFA,若注极温度低于2000C,浅阱载流子不能充分被活化,影响驻极体的电荷存贮寿命;若在高于2000C注极,较多深阱载流子由于热激发而脱阱,可溶性聚四氟乙烯导致深阱内存贮的电荷童下降,影响注极效率。
    利用初始_L升法峰值清洗术,我们试图估算出TeflonPtA LP型膜的活化能,根据一次动态特性,在热释电初期,TSD电流和活化能之间的关系可用下式描述:
    I=loexp(一E,/KT)“na0exp(一E;/KT )式中,E,是第i个能阱的活化能,n是热释电前在可溶性聚四氟乙烯内捕获的初始电子数,ao是试图逃逸频率,K是波尔兹曼常数T是绝对温度,可溶性聚四氟乙烯开路TSD电流谱各峰沮对应的活化能的关系见表2。

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